3v仪器rohs仪器 有害物质 edx1800b

rohs检测仪产品详细资料和参数介绍，由苏州实谱信息科技有限公司生产的ROHS检测仪型号EDX1800BS产品技术特点是采用下照式设计，样品腔大，可满足各种形状样品的测试需求。多种准直器和滤光片的电动切换，满足ROHS检测，镀层测厚，合金分析要求。定位测试很方便，人工操作简单易学，美国进口高分辨率Si-pin探测器，大的保证了仪器的检测精度。美国Amtek生产的X光管，使得仪器具备较高的稳定性，实现更高的测试效率。
XRF元素分析仪一般使用以下三种类型探测器中的一种：“Prop”（比例）计数器、硅PIN二管，以及硅漂移探测器（SDD）。
    比例计数器是一种气体电离装置，通过产生与能量成比例的检测器输出来测量入射的能量。比例计数器有一个相对更好的检测窗口用于捕获荧光X射线。它们工作在中等电压范围，非常适合于测量传统的单层（和一些多层）电镀沉积物。
    值得一提的是，比例计数仪器是这三种类型探测器中价格便宜的，对于不需要高分辨率的简单应用，可以有效看到光谱峰的分离。但是，这类探测器同样存在一些缺点，主要包括高基线噪声和需要频繁的进行校准。
    温度控制对这些设备至关重要，因为探测器需要使用一些对温度变化高度敏感的气体——比任何固态探测器都要敏感得多。充气管还会随着时间的推移而可能发生一定的泄漏。尽管它有这些缺点，但由于检测窗口较大，其通量通常较高，因此它可以检测到大量的光子。所以，虽然应用领域可能有限，但标准偏差较好。
    硅PIN二管提供的光谱分辨率优于比例计数器。这意味着操作人员可以测量更薄的沉积物和更低的元素浓度，并执行一些更复杂的测量，例如合金和厚层样品以及涉及到未识别材料的测量。凭借Peltier效应（TEC/TEM）冷却技术，硅PIN探测器具有更低的噪音，而且分辨率和检测限都更加出色，结果也更加稳定。
    硅漂移探测器通常能够产生比前两者更高的计数率和光谱分辨率，一般值比硅PIN二管探测器高出50％左右。与比例计数器相比，峰值背景比率得到了显著的改进，基线噪声也更低，可以得到更好的检测限和更大的元素测试范围。
    因为有效地消除了背景噪声，所以硅漂移探测器能够非常地测量重叠元素——周期表上的那些“相邻”元素，如镍、铜、锌以及铬和铁（它们之间的信号分离小）。而原来使用的一些技术，如果没有数学计算就无法解决这些重叠元素的测试。今天，由硅PIN和硅漂移探测器提供的分辨率改进就很好地消除了对数学计算或数字滤波的需要。
    与硅PIN一样，硅漂移探测器芯片组也是根据Peltier效应冷却的，不受气候影响，并且不需要氮气储存。所以，这些探测器几乎不需要进行太多的维护。硅漂移探测器是50μm以下薄膜样品以及一些复杂技术领域中应用的薄膜的检测器，包括ENIG、EPIG和ENEPIG（化学镀镍浸金、化学镀钯浸金和化学镀镍钯浸金）等。

分析原理：
ROHS检测仪就是X射线荧光光谱仪，其分析原理也就是X射线荧光光谱仪的分析原理。波长色散X射线荧光光谱仪使用分析晶体分辨待测元素的分析谱线，根据Bragg定律，通过测定角度，即可获得待测元素的谱线波长：
nλ=2dsinaθ （n=1,2,3…）
式中 ，λ为分析谱线波长；d为晶体的晶格间距；θ为衍射角；n为衍射级次。利用测角仪可以测得分析谱线的衍射角，利用上式可以计算相应被分析元素的波长，从而获得待测元素的特息。
能量色散射线荧光光谱仪则采用能量探测器，通过测定由探测器收集到的电荷量，直接获得被测元素发出的特征射线能量：
Q=KE
式中，K为入射射线的光子能量；Q为探测器产生的相应电荷量；K为不同类型能量探测器的响应参数。电荷量与入射射线能量成正比，故通过测定电荷量可得到待测元素的特息。
待测元素的特征谱线需要采用一定的激发源才能获得。目前常规采用的激发源主要有射线光管和同位素激发源等。
为获得样品的定性和定量信息，除光谱仪外，还必须采用一定的样品制备技术，并对获得的强度进行相关的谱分析和数据处理。

ROHS检测仪检测方法
1、阳离子及其价态：
采用英蓝阳离子色谱法、离子选择电法、原子吸收法均可检测，确定阳离子元素价态可采用伏安谱法进行分析。
2、阴离子：
英蓝技术离子色谱法，采用氧弹燃烧、英蓝技术前处理之后，直接进入离子色谱进行分析。

技术参数：
测试对像：粉未、固体、液体
元素分析范围:铝（Al）－铀（U）
含量分析范围：1ppm～
测试时间：60～300秒（可根据需要时调节）
能量分辨率：139eV5EV
多道分析器：2048通道
应用范围：
 针对于欧盟、北美RoHS环保指令、玩具指令等。应用于塑胶、电子、电器，有色金属、连接器、端子、印刷、玩具、服饰、器械、地矿、五金、PCB、半导体、通信、电镀、饰、手表、汽车、钢铁、鞋材、皮革等行业。ROHS检测仪是快速检测来料的佳检测工具。
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